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ST与Siliconix就双面冷却型MOSFET封装技术达成授权
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2005年03月14日 星期一

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ST与Siliconix宣布达成一项合作协议,ST将由Siliconix获得最新功率MOSFET封装技术的授权,这项技术使用强制性空气冷却方法,透过组件顶端与底部的散热路径供了更优良的热效能。Siliconix为Vishay Intertechnology公司(NYSO:VSH)持有80.4%股权的子公司。

Siliconix提供的技术名为PolarPAK,这种封装技术的导线架与塑料封胶(plastic encapsulatio)都与标准功率MOSFET封装所使用的类似,能良好地保护裸晶,而且在制造过程中也很容易管理。与标准SO-8封装相比,PolarPAK封装的散热效率更高,在相同尺寸封装内可处理两倍电流。

「随着DC/DC转换器体积不断微缩,将对PCB上各种组件的散热问题带来更大挑战,」ST功率MOSFET部门经理Ian Wilson表示。「封装技术的提升需要硅片技术的改良来推动。PolarPAK封装技术拥有极佳的热处理能力,让组装技术呈现了极大的跃进,能让设计人员强化效能与功率密度。这种封装技术将与ST针对计算机、数据传输与电信应用之功率转换所开发的STripFETTM MOSFET系列形成完善的互补。」

「与ST签署这项协议,意味着我们正朝着将PolarPAK推动成为业界标准封装技术的方向迈进了一大步,该技术能为客户提供灵活的多来源设计解决方案,」Siliconix总裁暨执行长King Owyang博士表示,「我们很高与,像ST这样的半导体产业领导厂商也认为PolarPAK将为广泛的功率MOSFET应用带来更多效益。」

關鍵字: 电子逻辑组件 
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