碳化矽（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列，FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准。

UnitedSiC全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品

基於UnitedSiC专有的叠接配置技术，新发布的系列产品在具备更高开关速度的同时，也能够为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET组件提供「直接」替代解决方案方案。

这意味着系统可以轻松升级到更高性能和效率，而无需更改现有的闸极驱动电路。由於的Qrr可减小50％，因而能够降低导通损耗。对於高电流使用，仅需一个小型，低成本的RC缓冲器，这简化了系统的抗电磁干扰设计。

UF3C FAST系列适合於应用各种硬切换电路，如主动整流器和图腾柱PFC级，通常可用於电动车（EV）充电、电信整流器和伺服器电源等。

UF3C FAST系列基於UnitedSiC的第三代SiC电晶体技术，将更快的SiC JFET和定制设计的Si-MOSFET整合在一起，能够实现通常处於关闭之高性能内接二极体和MOSFET简易闸极驱动理想组合。相较其他宽能带间隙（wide band-gap）技术，SiC叠接元件支援标准的12V闸极驱动，并能够确保雪崩额定值（100％经过生产测试）。

UnitedSiC工程??总裁Anup Bhalla表示：「UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列可以很轻松地使用，并具有低成本、高性能。该产品系列在高功率设计应用中使设计工程师有机会实现更高的效率。」