全球知名的高效能集成电路解决方案供应厂商的美商柏士半导体（Cypress Semiconductor）与Ramtron International Corporation子公司Enhanced Memory Systems宣布共同发表全世界最高密度的SRAM，全新的72Mb的「无延迟总线（NoBL，No Bus Latency）」burst SRAM系列产品是针对网络通讯市场所设计，特别适合应用于2.5 Mb/sec的OC-48及其以上接口的高速交换器和路由器，并采用Enhanced Memory Systems公司专利的单晶体管增强型SRAM技术（one-transistor Enhanced SRAM，one-transistor ESRAM），可拥有与传统六个晶体管SRAM（6T方案）相同的传输速度，却大幅提升产品四倍密度及减少四倍的功率消耗。

72Mb NoBL SRAM

Cypress台湾分公司总经理王春山表示：「Cypress的72Mb NoBL burst SRAM产品将继续延续我们在网络通讯内存市场的领导地位。我们与Enhanced Memory Systems之间的合作开发，已建立一个若采用6T技术要等到2004年才会问市的产品，这代表了Cypress在SRAM领域创下了另一个业界首见的开发产品先例。」

Enhanced Memory Systems营销副总裁Dave Bondurant则表示：「72Mb NoBL burst SRAM是一系列采用我们单晶体管ESRAM专利技术产品中的首项上市组件，我们与Cypress之间的合作有助于双方进一步扩展高密度SRAM市场。」72Mb NoBL burst SRAM是由Cypress与Enhanced Memory Systems共同开发，双方并将共同推动新产品的销售。

Cypress 表示，72Mb NoBL burst SRAM采用2 Mb x 36模式，并以最高166-MHz时钟速率进行作业，可于four-word read/write/read执行过程中能提供100%完整的总线带宽。目前供应2.5V和3.3V版本，与100-pin TQFP和119-pin PBGA封装等选择。功率消耗与目前仍是技术领先的18 Mb SRAM产品相同，仅需消耗采用6T组态的四分之一功率，其针脚、功能与时序均兼容于Cypress的NoBL SRAM系列产品，为需要较大SRAM缓冲存储器的网络系统提供最佳的升级方案。