德州仪器 (TI) 推出新的电源管理组件，把交换式直流转换控制器和低压降稳压器整合至单颗芯片，为使用DDR和DDR II内存系统的设计人员带来更强大的电源效能。对于DDR内存应用，例如美光的DDR和DDR II系统，这颗高整合度组件大幅减少电源管理的外部零件数目，最适合笔记型和桌面计算机、绘图卡和游戏机等应用。

TI新推出的TPS51116内建同步电流模式的直流转换控制器，专门提供Vddq电源，它还包含3 A低压降稳压器，可用来提供Vtt电源以及缓冲式参考电压Vref。新组件完全符合DDR以及DDR II JEDEC规格，只要搭配开关驱动电路 (power train)，再加上七颗外接电阻和电容，就能组成完整的DDR电源解决方案；相形之下，今天的系统则需要18颗或是更多的电源管理零件。TPS51116在负载很小时仍能提供极高的效率，例如在10 mA电流时，Vddq的效率可以超过85%。这颗高效能的低压降稳压器只需一颗2x10 μF的陶瓷输出电容，就能汲入和供应3 A的峰值电流。

TPS51116内部的开关采用D-CAP模式的控制技术，它能提供100奈秒的负载步阶瞬时响应，同时减少外部的输出电容数目；D-CAP模式也不需要外部回路零件，但若设计要求更多强大的控制能力，TPS51116的回路补偿也能改变支持任何类型的输出电容，包括陶瓷电容在内。新组件内建的低压降稳压器需要2x10 μF陶瓷输出电容，它还能藉由减少输入电压以大幅降低系统功耗。TPS51116也能支持多种不同设计，Vddq电压可以调整或固定不变，DDR为2.5 V，DDR II则为1.8 V。

除了高效能之外，TPS51116还能管理睡眠状态的控制功能，帮助改善DDR内存系统的可靠性；这项整合功能可以加快新产品上市时间，因为设计人员可直接利用组件内部的控制功能，不需另行设计外部控制电路。此外，TPS51116还能确保Vtt低于Vddq，这能进一步提升DDR内存的可靠性。