英飞凌（Infineon）日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3产品系列，特别适用于高频率和硬式切换相关应用。这一系列的装置为降低切换损失以及极优异效率立下了新的标竿，可适用于高达 100 kHz的拓朴切换。

近几年，为因应离散式IGBT应用的相关需求，设计必须寻求特殊性能的IGBT，实现最高的应用效能，例如切换和导通损失的优化。英飞凌新款600 V和 1200 V High Speed 3系列，针对高频应用如电焊机、太阳能转换器、交换式电源供应器（SMPS）和不断电系统（UPS）等，赋予设计者最卓越的系统效能。

英飞凌 IGBT 功率离散组件资深营销经理Roland Stele表示：「过去几年来，IGBT 广泛应用于工业驱动、感应加热、焊接、UPS与太阳能转换器，相关需求大幅增加，各种应用皆需不同的优化电源切换。英飞凌新一代的突破性IGBT组件特别适合于高频的应用，能达到最低的切换损失并提升效率。」

新High Speed 3 IGBT系列针对高达100 kHz之应用作优化设计。相较于前一代产品，整体关断损耗降低了35%，这可归功于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短了75%，进而达到 MOSFET的关断切换特性。

导通饱和电压在整体损失上扮演关键角色，能在切换损和导通损之间，掌握良好的平衡。新的High Speed 3系列采用英飞凌业经验证的Trenchstop技术，拥有极低的导通饱和电压，因此不仅具备极低的切换损失，导通损失同样极低。

High Speed 3系列高速型IGBT内含一飞轮二极管（free-wheeling diode），此二极管尺寸已针对高速切换作优化设计，保持高柔软性，应用于电磁干扰亦有非常优异的表现。