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英飞凌推出CoolSiC MOSFET评估板 适用於最高7.5kW马达驱动
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年11月14日 星期四

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碳化矽(SiC)正逐渐成为太阳能光电和不断电系统等应用的主流。英飞凌科技股份有限公司正将这项宽能隙技术锁定另一组目标应用:EVAL-M5-E1B1245N-SiC评估板将有助於SiC在马达驱动的应用中奠定基础,并强化英飞凌在工业SiC市场的领先地位。该评估版的开发目的是在客户以最大7.5kW马达输出进行工业马达应用设计的最初阶段提供协助。

EVAL-M5-E1B1245N-SiC评估板已针对通用型马达及伺服马达进行最隹化,并具有非常高的频率。它具备六单元(Sixpack)组态1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般导通电阻。
EVAL-M5-E1B1245N-SiC评估板已针对通用型马达及伺服马达进行最隹化,并具有非常高的频率。它具备六单元(Sixpack)组态1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般导通电阻。

此评估板包含EasyPACK 1B-CoolSiC MOSFET (FS45MR12W1M1_B11)、三相AC连接器、EMI 滤波器、整流器及用於连接马达的三相输出。此款评估板以模组化应用设计套件(MADK)为基础,配备英飞凌标准M5 32脚位介面,可连接控制单元如XMC DriveCard 4400或1300。其输入电压涵盖340至480VAC的范围。

这款MADK系列新成员已针对通用型马达及伺服马达进行最隹化,并具有非常高的频率。它具备六单元(Sixpack) 组态1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般导通电阻。功率级包含电流与电压的感测电路,配备无感测器磁场导向控制(FOC)的所有组合元件。EVAL-M5-E1B1245N-SiC具有低电感设计、整合NTC温度感测器及无铅端子镀层,符合RoHS规范。

EVAL-M5-E1B1245N-SiC已开始接受订单。

關鍵字: MOSFET  Infineon 
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