账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2008年10月23日 星期四

浏览人次:【1290】

Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件,从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言,该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积。

新型Siliconix 25V TrenchFET Gen III功率MOSFET具有4.5V时最大2.1mΩ及10V时最大1.7mΩ的业界最佳导通电阻,并采用PowerPAK SO-8封装。
新型Siliconix 25V TrenchFET Gen III功率MOSFET具有4.5V时最大2.1mΩ及10V时最大1.7mΩ的业界最佳导通电阻,并采用PowerPAK SO-8封装。

SiR476DP在4.5V闸极极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V闸极极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与闸极极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM),在4.5V时为89.25nC。

關鍵字: MOSFET  Vishay  电阻器 
相关产品
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET
Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装
Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率
Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET
英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展
  相关新闻
» 台英研发合作吸引群创及科磊等大厂加入 聚焦化合物半导体及下世代通讯
» ASML企业短片大玩生成式AI 展示微影技术为人类创新价值
» 国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术
» 台积扩资本支出达280~300亿元 补助供应商加速减碳
» 经济部补助A+企业创新研发淬链 聚焦数位减碳及AI应用
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83SBITBHYSTACUK1
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw