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【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2008年11月20日 星期四
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Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积。

Vishay推出新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET。（来源：厂商）
Vishay推出新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET。（来源：厂商）

SiR440DP在4.5V闸极极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ，在10V闸极极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与闸极极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为87。
關鍵字： MOSFET  Vishay  电阻器 
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