意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L，具有极低的微奥姆导通电阻特性，对要求严格的电源供应系统而言，将有助于降低损耗并提升效率。这个新推出的高电流N-channel MOSFET是专为并联供电而设计的，并联供电广泛地使用在服务器应用以提升系统的可靠性。

意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L（来源：厂商）

ST开发出一项创新的ribbon-bonding技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微奥姆(0.8毫奥姆)，为高电流的MOSFET设立了一个新的工业基准。 这款20V的产品是降低高效能DC-DC转换器二次侧功耗(secondary rectification losses)的理想选择，提供卓越的短路保护功能及极短的Td( off)(Turn-off time)

并联供电常使用于关键系统以提供备用的电源供应，或用于提升电源输出功率。 以前二极管常被使用在这个功能，为了达到更高的效能， MOSFET现在已取代了二极管。如今功耗极低的STV300NH02L在电源效率上又显著地向前迈出一大步。