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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2006年06月21日 星期三

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美国国家半导体(National Semiconductor)推出两款内建射频抑制电路的Boomer声频子系统,优点是可以提高可携式电子产品的抗噪声干扰能力。这两款型号分别为LM4946及LM4947的声频子系统都设有单声道放大器、无需输出电容器的立体声耳机放大器以及美国国家半导体的可程序3D音效加强功能。

这两款子系统内建射频抑制电路,可以抑制输出端的讯号接收能力,以免输出端像天线一样不断接收噪声,并将之传送回放大器的讯号路径,因此适用于系统本身可能会产生不同频率射频讯号的移动电话及可携式电子产品,确保将此方面的噪声干扰减至最少。此外,这两款子系统也内建可支持差动输入的单声道放大器,因此可以提高电源供应抑制率(PSRR)和通用模式抑制率(CMRR),并且加强系统的抗噪声干扰能力。

LM4947芯片内建的单声道放大器是一款全差动、单电源供应、无需滤波器的2.5W D类(Class D)声频放大器,其特点是功率消耗比目前市场上任何同类的D类声频放大器都低,可以利用3.6V的供电作业,静态电流只有2.1mA(典型值),而且能以高的转换效率驱动喇叭。

美国国家半导体的LM4946芯片采用4mm x 4mm的封装,可输出540mW的功率,驱动8W的桥接负载(BTL),总谐波失真及噪声(THD+N)只有1%。内建的立体声耳机放大器可以利用3.3V的供电,为每一声道提供35mW的输出功率,驱动32W的立体声单端负载,也可支持无需输出电容器的配置,但无论选用哪一模式,总谐波失真及噪声都只有1%。内建的立体声耳机放大器若采用无需输出电容器的模式,便无需加设输出耦合电容器。

LM4947放大器的技术参数大致上与LM4946相同,但LM4947芯片不但可以输出500mW的功率,而且其内建的立体声耳机放大器可提供每一声道30mW的输出功率。

關鍵字: National Semiconductor  讯号转换或放大器 
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