瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.），宣布推出RQG2003高效能功率SiGe HBT，可达最高效能等级，运用于无线局域网络终端设备、数字无线电话、及RF（无线电射频）卷标读取机/写入机等产品。预计于2007年3月起在日本开始提供样品。接续瑞萨科技现有的HSG2002，RQG2003为使用于功率放大器之晶体管，放大无线局域网络终端设备等装置RF前端的传输功率。

RQG2003是瑞萨科技首度采用其独特双渠（double-trench）架构之产品，在此架构中，会在单一晶体管区域中形成一个渠道隔离以及传导渠道。利用渠道隔离来区隔晶体管与底层的硅，可减少会导致高频率特性劣化的寄生电流容量（在底层与晶体管之间）。此外，传导渠道是以via holes方式连接电极与底层而建立的，可藉此降低因缆线结合所产生的电感。利用此双重渠道架构可大幅提升2.4 GHz及5 GHz频段的功率增益及功率增加效率。RQG2003采用最佳的银浆，可提高黏晶的可靠度及导电率，并采用Sn-Bi（锡-铋）做为封装电极电镀，提供完全无铅的产品。

RQG2003采用SiGeC程序，其中的SiGe底座尚有涂布碳，并且晶体管排列方式亦经过优化。这样可带来大幅的提升，集电装置电流密度提高，而且相较于瑞萨科技现有的HSG2002，1dB增益压缩功率提升约1.5 dBm。瑞萨科技计划扩大RQG系列SiGe功率晶体管的LNA（低噪声放大器）RQG1xxx及PA（功率放大器）RQG2xxx的产品种类，并持续开发RQL系列SiGe MMIC的LNA RQL1xxx及PA RQL2xxx产品，以提供更多的产品项目，满足持续成长的市场需求。