瑞萨科技将于11月25日开始接受于SiP（系统级封装）中采用DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取内存）快速内存芯片之产品订单；其中的SiP可于单一封装内，包含多重内存和瑞萨科技的高效能微处理器及逻辑芯片。

瑞萨科技表示，新式的DDR SDRAM SiP因CPU和DDR SDRAM间的总线联机建置在SiP中。这免除用户承担复杂总线联机设计的需要，进而使得产品发展成本和发展时间的设计资源，可以减少和缩短。连接DDR SDRAM通常需要使用大量外部被动组件，如用于降低噪音的电容器。此外，在SiP的建置下，所有总线联机均为内部，因此不但除去了对多数外部被动组件的需要，更可进而降低产品成本。除此之外，原有被动组件所消耗的功率也可下降，进而降低产品耗电量。单一封装中容纳多重芯片可大幅缩短芯片对芯片间的布线距离。因此减少了EMI的噪声，并达到稳定的高速操作。