全球超大规模集成电路技术及电路国际会议( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即将于6月11日至14日于日本举办。旺宏电子今年共有六篇论文获选：其中一篇入选电路会议(VLSI Circuits)，另外五篇论文入选VLSI技术会议(VLSI Technology)，而再度蝉联台湾业界之冠；尤其，一篇探讨导电桥电阻式内存(Conducting Bridge Resistive Memory, CBRAM)的研究成果更获选为焦点论文(Highlight Paper)。

今年旺宏在VLSI所发表的论文主题涵盖3D NAND Flash、电阻式内存(ReRAM) 及相变化内存(Phase Chang Memory)等最前瞻的研究领域，显示旺宏对次世代先进内存关键技术已全方位掌握。至于此次获选为焦点论文的研究成果，则是旺宏工程师发现在CBRAM组件的金属离子供应层与固态电解液层之间加上一层金属氧化层(p型氧化铜半导体)，不仅可大幅降低组件的操作电压，同时也能提高其稳定性，使新一代的CBRAM组件具备低耗能及高可靠度的特性。

旺宏自2006年起每年在VLSI国际会议中皆有论文获选发表。今年在这两场国际会议中共发表六篇论文如下：包括VLSI技术会议的五篇论文：Study of the Interference and Disturb Mechanisms of Split-Page 3D Vertical Gate (VG) NAND Flash and Optimized Programming Algorithms for Multi-level Cell (MLC) Storage；A Novel Bit Alterable 3D Stackable NAND Flash Using Junction-free P-channel Device with Band-to-Band Tunneling Induced Hot-Electron Programming；Fundamental Classification of Programming Pulses for Multi-Bit Phase Change Memory；A Novel Conducting Bridge Resistive Memory Using a Semiconducting Dynamic E-field Moderating Layer；A Novel High Performance WOx ReRAM Based on Thermally-induced SET Operation，以及入选VLSI电路会议的论文：3D Stackable Vertical-Gate BE-SONOS NAND Flash with Layer-Aware Program-and-Read Schemes and Wave-Propagation Fail-Bit-Detection against Cross-Layer Process Variations。

VLSI国际会议被视为是展现IC制程整合技术最新成果的橱窗，与IC产业未来发展最为密切。若以第一作者(first author)论，今年VLSI台湾共有18篇论文入选，其中旺宏入选6篇、台积电7篇、交通大学及清华大学各2篇，国家奈米实验室1篇；而在技术会议中，则是以旺宏发表5篇最多，次为台积4篇及交大2篇。

旺宏除了在VLSI持续有杰出表现，近五年来在国际重量级学术研讨会议─国际电子组件大会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)平均每年约有5篇论文发表。去年旺宏续有5篇论文获选，篇数再度居台湾业界之冠，其中两篇更获得大会评选为焦点论文，超越国际指针性大厂。