ST日前推出新款N信道MOSFET－STD150NH02L。ST表示，STD150NH02L具有低导通电阻、闸电荷与低热敏电阻。这些特性让STD150NH02L适用于大电流的DC/DC转换器，并支持24V的汲极到源极电压，以及最大150A的汲极电流。其额定的导通电阻为0.0035奥姆。在10V电压时，标准导通电阻为0.003奥姆，在5V电压时为0.005奥姆。这将有助于降低组件内的传导损失。

ST新款N信道MOSFET－STD150NH02L

ST更进一步指出，该组件的设计同时确保其具有极低的闸电荷（QG）。这些特色均能降低组件交换损失。STD150NH02L是以ST的第三代StripFET技术制造。它采用0.6微米制程，加上ST的金属处理技术、组装技术，能够在标准的DPAK封装内达到更优良的效能。这些功能特性，都让STD150NH02L适用于必须处理大量输出电流的高效能转换器。