云端电源是指传输、储存及处理云端数据设备的电源。在电信或传输应用中，云端电源将为基带单元及远程无线电单元供电。在用於储存及处理的伺服器机群中，大型不间断电源（UPS）可以确保用户在暂时断电时仍能连接云端。每台伺服器还将需要一个电源单元（PSU），及众多DC-DC转换器来提供负载点电源。

安森美半导体提供全面的云端电源方案

网路上可使用的数据及服务正呈现爆发式成长，造成对云端基础设施的需求激增。云端基础设施主要包括数据中心及通讯基础设施，是实现各种全天网路应用与服务的基础。电源转换能效大幅影响云端服务供应商的运营支出。希??持续降低能源成本的需求不断提高，产业标准及政府监管也日趋严格，扩大容量及网路覆盖范围的需求推动需要更高密度的方案，云端电源设计面临高能效及高功率密度的挑战。

安森美半导体致力於推动高能效创新，提供全功率范围、高能效、高功率密度的云端电源方案，包括AC-DC转换、多相转换、负载点电源、热??拔保护、时脉等矽方案及下一代半导体碳化矽（SiC）与氮化??（GaN），支援基地台、企业伺服器、数据中心或云端运算等云端基础设施。

在大型数据中心中，提高CPU及记忆体多相稳压器的能效能节省大量能源开支。例如，将能效从95%提升至95.5%，每年可节省数以百万计美元的能源支出。安森美半导体的智能功率级元件（SPS）系列，在一个QFN封装中整合高边FET、低边FET 和驱动器 IC、保护及遥测功能，用以将伺服器系统最隹化，实现最隹能效、降低总物料单（BOM）成本，尤其第三代智能功率级元件SPS3为伺服器多相稳压器提供同类最隹的电源转换能效。

针对较高电压应用，包括电信基地台、伺服器与云端应用中未来的48 V汇流排，安森美半导体提供业界首款100 V桥式功率级FDMF8811，实现全桥与半桥隔离型DC - DC转换器的更高功率密度及高能效及高可靠性，用於功率模组中的DC-DC转换器与无线基地台的载板设计。

FDMF8811在一个6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN 封装中整合一个120 V门极驱动器、一个自举二极体和两个功率MOSFET，导通电阻典型值低至4.1 mΩ。与分立方案相比，FDMF8811减少DC-DC 转换器设计所需的板面积约三分之一，使工程师能够设计更小的系统。透过整合所有的关键功率元件，FDMF8811将设计最隹化，保持尽可能高的能效，使云端应用如无线基地台、功率模组或任意载板、隔离型DC-DC转换器实现更高水准的功率密度。同时，低电压应力确保更高的可靠性。值得一提的是，FDMF8811曾获《今日电子》与《21IC中国电子网》联合颁发2017年度「Top 10电源产品奖」，这是电子业备受认可的确定创新产品基准之一。

高电流的POL设计存在一系列的挑战，除了高能效和高功率密度，还需要具有可编程性和灵活性、快速的瞬态回应、严格的容限及精确度、可靠的保护及卓越的热管理。安森美半导体提供全系列负载点电源方案，解决这些挑战。

如最新的多晶片模组PWM降压稳压器系列FAN6500xx，提供领先市场的电流密度和非凡的整合度，峰值能效达98.5%，输出电流高达10 A，输出功率达100 W，支援4.5 V至65 V的宽输入电压范围，适用於电信基础设施及基带板、工业自动化、DC-DC模组、通用POL等广泛应用。

多晶片方案的一个巨大优势是能在门极驱动器及MOSFET之间进行设计最隹化，模组化方案意味着电源设计中只有单一故障点。

FAN6500xx整合了PowerTrenchR MOSFET技术，比使用一个外部MOSFET的方案具有更低的振铃及更好的电磁干扰（EMI），结合经历时间测试的固定频率控制方法与灵活的Type III补偿与稳固的故障保护，如可调过流保护、热关断、过压保护及短路保护，提供更高的可靠性。FAN6500xx具有可编程及可同步的开关频率（100 kHz-1 MHz）特性，能解决更高的功率要求，当并行使用多个FAN6500xx元件时，可以保证低的输入纹波。

FAN6500xx有3个版本：6A （FAN65004B）/8A （FAN65005A）/8A （FAN65008B），所有元件之间的引脚相容性与扩展性确保了OEM能够为其应用选择最理想的元件。

下一代无线连结5G将需要大量的功率MOSFET。安森美半导体提供高性能的分立方案，其新的650 V SuperFETIII MOSFET系列能比上一代超级结元件提供更高的能效。SuperFETIII技术提供易驱动 （Easy Drive）、快恢复 （FRFET）和快速 （FAST）三种不同的版本，设计人员可依应用需求及拓扑结构选择最适合的版本，实现最隹能效。

针对次级端，安森美半导体提供全系列最隹化的中、低压MOSFET用於云端电源。T6技术为30V、40V及60V提供业界最低的导通电阻。新的T8技术为25V、40V、60V及80V提供与T6相同的超低导通电阻，同时进一步改善开关叁数。对於80 V、100 V与120 V，采用PTNG技术，提供出色的导通电阻和二极体性能。

宽禁带材料如SiC、GaN与矽相比有巨大的优势，是下一代功率元件的基础，能解决更高能效及更高功率密度的挑战，同时确保高的可靠性。安森美半导体提供一系列具有不同功率密度的宽禁带产品，以配合不同的功率应用。

SiC二极体因为低的反向恢复电荷（Qrr）明显提高系统的能效，大幅降低开关损耗，进而实现更高的开关速度。它们还具有稳定的高温特性，能在高温下工作而不增加开关损耗。SiC二极体主要用於电源功率因数校正（PFC）级。安森美半导体拥有完整的650 V和1200 V SiC二极体产品阵容，涵盖所有功率范围。

同时，安森美半导体正积极开发1200 V SiC MOSFET、GaN MOSFET，以更好地配合市场发展及设计需求。

安全性在电源应用中至关重要。安森美半导体提供高性能及高可靠性的电子保险丝，用於12 V、5 V及3.3 V电源，以防止高浪涌电流、电压尖峰及热耗散，公司5年共付运超过2亿片电子保险丝，退货率低於0.3 PPM。

时钟是电子系统中的关键元素，其性能对整个系统的稳定运作至关重要。安森美半导体提供全面的时钟产生元件（包括各种时钟模组和可编程时钟）与时钟分配元件（PLL 零延迟缓冲器、扇出驱动器等）。一次性可编程时钟产生器Omniclock平台提供高度的设计灵活性及丰富功能，可以很好地配合安森美半导体的时钟方案运作，增强系统可靠性，满足系统低功耗要求。针对特定需求，安森美半导体也设计专用积体电路（ASIC）。

数据传输的速度在不断加快，在更高的数据速度下，我们不能忽视讯号衰减问题。安森美半导体提供单通道及双通道转接驱动器产品系列，透过OE引脚深度省电，提高出色的随机抖动性能，实现延长讯号距离达36 英寸FR4 或5m 电缆5Gbps、10英寸FR4 10Gbps。

云端电源设计面临高能效、高功率密度、高可靠性的挑战。安森美半导体致力於推动高能效创新，凭藉强大的技术、应用专知及悠久丰富的产业经验，为云端基础设施（包括企业伺服器及无线基础设施）提供全功率范围的、高能效、高功率密度、可靠的端到端供电电源及数据完整性方案，并处於开发下一代宽禁带产品的前沿，解决设计挑战，满足市场需求。