富士通微电子近日发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展，此款晶体管具备高崩溃电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器。富士通开发此款45奈米世代CMOS晶体管，能支持10V功率输出，让晶体管能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用中功率放大器的规格需求。此新技术实现了在同一晶粒（die）中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单芯片整合的目标，进而开发出高效能、低成本的功率放大器。

WiMAX等高频率应用中使用的功率放大器，所需的输出电压规格已超过标准CMOS逻辑制程中晶体管的崩溃电压。想要克服这项障碍并维持与CMOS制程技术的兼容性，必须提高晶体管的崩溃电压。富士通藉由采用45奈米制程技术，把新型晶体管技术套用到3.3V I/O标准晶体管，开发出第一个把崩溃电压从6V提高到10V的晶体管。在晶体管结构方面，为了让新晶体管适合用在功率放大器，在最高震荡频率43 GHz下1mm（0.6 W/mm）闸极宽度达到0.6W功率输出。

富士通表示，该公司新开发的高电压晶体管，让业者更容易开发出具备高崩溃电压、且适用在功率放大器的CMOS逻辑晶体管。富士通将持续发展这项技术，将功率放大器与控制电路整合在单一芯片中，实现低成本、高效能功率放大器模块的目标。