安捷伦科技公司于24日发表了一款高线性度的E-pHEMT(增强模式PHEMT)场效电晶体(FET)，这是专为450 MHz到6 GHz、讲求成本的无线基础架构应用之低杂讯、高动态范围操作而设计的。

在3V、30 mA和2 GHz下操作的单电压Agilent ATF-58143 E-pHEMT FET，提供了0.5 dB的杂讯指数和+16.5 dB的相关增益，以及+30.5 dBm的第三级输出截点( OIP3)和+16.5 dBm的线性输出功率(1 dB的增益压缩)。它非常适合用于蜂巢式/PCS/WCDMA基地台、无线区域回路、无线固定存取、以及操作频率在450 MHz到6 GHz的其他高效能应用中的前端LNA(低杂讯放大器)之第一与第二阶段。 ATF-58143在3V下仅30 mA的低耗电量，提供了30.5 dBm OIP3的高线性度，能减少现今小巧的装置设计所产生的热气。单电压操作也能排除电压反相电路或双重电压供应的需要。