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专为低电压应用所设计,开关效率可提升40%

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠报导】   2003年03月13日 星期四

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安森美半导体(ON)持续扩展其专为开关及电源管理应用所使用的低电压功率MOSFET产品线,近日又推出一系列新的N通道功率MOSFET。这些24/25伏的元件是特别为同步升压转换电路( VRM 和VRD)而设计,可使用于伺服器和桌上型电脑,或网路及通讯设备之负载点( POL)转换器。

N通道功率MOSFET
N通道功率MOSFET

安森美半导体副总裁暨整合电源产品部总经理Ramesh Ramchandani表示:「安森美半导体是目前全球最大的低电源应用MOSFET供应商之一。我们计划进一步扩大供应这个市场的产品;安森美半导体不但将持续支援,且将推动对更有效率的系统之设计。」

这些新的N通道开关元件具有安森美半导体最新的专利平面处理科技之特性。这项升级为开关效能带来业界最佳的效益指数(导通电阻x 闸电荷,或Rds(on) x QG),较前一代元件提升了40%。本公司最优异的平面科技也提供低导通电阻以降低导通损耗,以及最佳化的本体二极体以减少电源耗损。这些元件提供的总闸电荷(QG)仅为8.4毫微库伦(nC), Rds(on) )仅仅3.7毫欧姆(mΩ),且闸电压额定值仅为20V,具有更高的稳定性。

關鍵字: 安森美半导体  Ramesh Ramchandani  电源转换器 
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