诺发系统日前宣布，已在VECTOR PECVD平台上开发出，具有晶圆对晶圆间膜厚变异小于2埃的精密抗反射层薄膜（ARL）。这种新制程采用VECTOR特有的多重平台序列式沉积工艺技术架构（MSSP），以达成沉积的ARL薄膜具有格外均匀的薄膜厚度，折射率（n）和消光系数（K）。这种新的薄膜具有的特性已超越了次32奈米微显影的要求。

成功控制关键尺寸（CD）的变化量是对32及次32奈米微显影不可或缺的一环。2009年国际半导体技术蓝图（ITRS）中建议总关键尺寸（CD）的变异量应控制在小于1nm，以确保超高性能电路的功能性。如高端相位偏移遮蔽复合光学近端校正的先进的微显影CD控制设备，已成为极其昂贵的投资，以便达到32奈米组件制造的严格CD控制需求。

另外，有一个有效且较不昂贵被称为”剂量补偿”的技术，被应用来控制微显影技术的变异量，晶圆上特定区域的照射剂量被软件运算所补偿调整，为了确保适当的剂量补偿，这个技术成功的关键在于需要在每一片晶圆上应用可精密控制膜厚及光学特性的抗反射层薄膜。

诺发在VECTOR机台上开发出的ARL制程技术，提供了这些需要使用光谱吸收剂量补偿控制策略的晶圆间有着更一致的效果。新的制程技术，还链接了VECTOR机台本身角度精准度小于0.3毫米，以确保预期的薄膜性质符合32奈米光刻技术的需求。

诺发系统电浆化学气相沉积业务部门的高级副总裁Kevin Jennings表示，在VECTOR平台上所开发出新一代精密的ARL薄膜，具有超均匀的厚度分布及光学特性，这都是在先进晶圆制程上对CD的控制所不可缺少的要求。当双重和三重层电浆化学气相沉积的ARL薄膜作为反射控制，VECTOR的独特制程控制将有效藉由反馈和前馈来提供CD控制解决方案。