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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2011年09月28日 星期三

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瑞萨电子(RENESAS)日前宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04,可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗:碳(SiGe:C)材料并达到低噪声效能。

瑞萨推出新款SiGe:C异质接面晶体管,可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统及类似应用。
瑞萨推出新款SiGe:C异质接面晶体管,可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统及类似应用。

新款SiGe:C HBT晶体管可将无线接收到的微弱微波讯号放大,以达到0.75 dB的噪声值。由于能够以如此低的噪声放大讯号强度,因此可提高终端产品的通讯接收灵敏度。由于它可减少讯号传输错误,因此其运作耗电量可降低至具同等效能之瑞萨现有产品的四分之一。

瑞萨销售适用于微波放大器应用的晶体管及IC,为无线局域网络、消费性家用无线电话、地面数字电视广播调整器以及包含GPS功能的设备等提供解决方案。在上述背景之中,瑞萨已开发出采用SiGe:C材料的制程技术,并且为卫星广播所使用的12 GHz以上的频率提供解决方案。

另外,由于此晶体管是为了微波应用而开发的,因此瑞萨提供业界标准的4-pin薄型迷你模型封装(瑞萨封装名称:M04封装)。瑞萨亦计划将此新制程部署至微波IC的开发,并进一步提供此领域的解决方案,以响应市场需求。

關鍵字: 瑞薩 
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