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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2012年11月21日 星期三

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快捷半导体(Fairchild) 延伸至创新的高性能功率晶体管技术领域,宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案 是功率转换系统的理想选择。

Fairchild宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案
Fairchild宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案

先进 SiC 双极晶体管 (BJT) 系列是快捷半导体 SiC 产品系列首批发布产品之一,具备高效能、高电流密度、耐用性高,且可轻易在高温条件下运作。 快捷半导体的 SiC BJT 运用极为高效的晶体管,可实现更高开关频率 ,因其导通和开关 损耗更低(约 (30-50% 不等),在同样的系统型态条件下,可提供高达 40% 的输出功率。

这些强大的 BJT 能使用更小的电感、电容及散热片,总体系统成本可降低 20%。 这些SiC BJT,凭借其可实现超高效率以及优越的短路和反向偏压安全工作区域的性能等级,将会在优化高功率转换的电源管理应用中,扮演重大的角色。

快捷半导体完善的碳化硅解决方案还包含开发了一个「即插即用」的离散式驱动器电路板(15A 和 50A)。其与快捷半导体的先进 SiC BJT 结合使用时,不仅提供更高的开关速度,从而降低开关损耗并实现更佳可靠性,还可让设计者轻松的将 SiC 技术落实在本身的应用中。

關鍵字: 碳化硅  Fairchild 
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