账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Fairchild的SiC解决方案在功率转换系统中提高可靠度
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2012年11月21日 星期三

浏览人次:【1458】

快捷半导体(Fairchild) 延伸至创新的高性能功率晶体管技术领域,宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案 是功率转换系统的理想选择。

Fairchild宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案
Fairchild宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案

先进 SiC 双极晶体管 (BJT) 系列是快捷半导体 SiC 产品系列首批发布产品之一,具备高效能、高电流密度、耐用性高,且可轻易在高温条件下运作。 快捷半导体的 SiC BJT 运用极为高效的晶体管,可实现更高开关频率 ,因其导通和开关 损耗更低(约 (30-50% 不等),在同样的系统型态条件下,可提供高达 40% 的输出功率。

这些强大的 BJT 能使用更小的电感、电容及散热片,总体系统成本可降低 20%。 这些SiC BJT,凭借其可实现超高效率以及优越的短路和反向偏压安全工作区域的性能等级,将会在优化高功率转换的电源管理应用中,扮演重大的角色。

快捷半导体完善的碳化硅解决方案还包含开发了一个「即插即用」的离散式驱动器电路板(15A 和 50A)。其与快捷半导体的先进 SiC BJT 结合使用时,不仅提供更高的开关速度,从而降低开关损耗并实现更佳可靠性,还可让设计者轻松的将 SiC 技术落实在本身的应用中。

關鍵字: 碳化硅  Fairchild 
相关产品
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品
东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备
Cree | Wolfspeed推出X频段雷达元件系列 提高RF功率性能
ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET
英飞凌推出650V碳化矽混合分立式元件 提升车用充电器效能
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BM9NP7ISSTACUKF
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw