华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳（3/3-4深圳会展中）、上海（3/10-11上海世贸商城），届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗易失存储器及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗易失存储器512Mb Low Power DRAM。

近年来手机市场成长的主要动力，除了新一代3G传输标准之兴起，行动商务化平台的运转，及诸多影音多媒体技术的发展下，大大带动了中高阶机种换机潮的兴起。手机的功能日新月异，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、JAVA游戏下载、数字相机模块搭载...等，使得手机的内存中的RAM Buffer需要量大增，为因应高效高容量之内存需求，华邦电子2008年将陆续推出符合JEDEC标准低功率耗易失存储器（Low Power DRAM）规格之产品，产品含盖128 Mb～512 Mb。

虚拟静态内存（Pseudo SRAM）采取传统DRAM为核心；接口则设计与传统SRAM兼容的架构。另外Pseudo SRAM设计了一个on-chip refresh circuit来解决DRAM cell之Refresh，以增加读取速度并降低用户在设计上的困扰。产品完整含盖16Mb～256Mb；本次所展出之256Mb PSRAM为现今市场上容量最大之PSRAM之一（符合CellularRAM 2.0G之标准）；除领先同业之外，与主要系统供货商建立更进一步的合作关系。

华邦电子公司宣布与德国奇梦达公司（Qimonda AG）签订75奈米与58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，具体展现华邦不断运用先进制程技术，提升自有产品在全球市场的竞争力，及强化与国际大厂实质合作的伙伴关系。一方面华邦持续提供奇梦达高质量的标准型DRAM产品晶圆代工服务，另则华邦可以发展行动内存等利基型产品，经营自有品牌产销。未来华邦将可应用58奈米制程技术，开发Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消费电子产品DRAM等利基型内存产品，以满足行动通讯市场多元及快速成长的需求。