香港商富士通微电子台湾分公司，宣布推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循环随机存取内存)。此款Mobile FCRAM采用富士通FCRAM核心技术，是一个拥有SRAM接口的虚拟静态随机内存(PSRAM)，具高速运算及低功耗，适用于手机等各种手持式装置之应用。

富士通256Mbit Mobile FCRAM产品(图:厂商提供)

此款型号为MB82DDS08314A的Mobile FCRAM采用DDR突发模式，符合Mobile RAM(COSMORAM) Revision 4通用规格之要求，并具备以下特点：DDR同步突发模式、多重地址/数据接口、每秒最高可达1GByte的高速数据传输速度、短暂延迟模式能缩短最初访问时间。

富士通微电子市场总监庄健伟先生表示：「目前高阶手机均需要具备如数字相机、数字摄影机和数字地面广播串流等各种功能。因此，可以预见的是像Mobile? FCRAM这种高密度、高指令周期及低功耗的内存产品，将成为未来手机市场中不可或缺的组件。富士通的FCRAM系列产品所提供的高速数据传输速率，可在目前既有的PSRAM平台上，提升手机中的各种功能。此外，此款全新MB82DDS08314A组件可藉由多重地址与数据总线，将组件针脚数降到最低，协助客户省去复杂的机板设计。」

富士通针对手机市场推出pseudo SRAM，为了满足市场对高速内存的需求，富士通分别推出32Mbit/64Mbit与128Mbit的突发模式Mobile FCRAM系列产品。

除了新款DDR突发模式的Mobile FCRAM，富士通也提供符合传统COSMORAM Rev.3规格的256Mbit SDR Mobile FCRAM(型号为MB82DDS08314A)，为需要内建SDR PSRAM接口的高密度RAM的客户，提供另一种解决方案。