羅姆電子(ROHM株式會社)於日前宣布全新推出創新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。

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隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。因此，像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果，或是能降低損耗等，此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。ROHM運用傳統的多層磊晶生長(epitaxial growth)方式，以垂直型pn接合多個並排的超接合(Super Junction)結構功率MOSFET，達到高效率目標。

本次ROHM採用了可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術，並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術，導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比)，最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用，另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體，亦可使用於變頻器等產品。本產品可大幅降低功率轉換時所造成的損耗，如此便能有效提高太陽能的發電效率，除此之外，為了滿足各種不同的電路需求，ROHM還計畫利用此一技術來研發具備更高耐壓特性的產品系列「PrestoMOS」。