半導體設備及材料業者羅門哈斯電子CMP技術事業部，發表專為90奈米低介電（Low-k）製程化學機械研磨應用的優化非酸性阻擋層研磨液產品；羅門哈斯表示，該LK系列阻擋層研磨液具備整合性與彈性應用的優勢，目前也已經有多家客戶正在進行實際試用中。

羅門哈斯表示，LK系列產品包含LK301及LK309阻擋層研磨液，使用者可依需求選擇適用的產品，其中LK301阻擋層研磨液適合必要有含低至中度壓入荷重變形（ILD）損耗之進入平面修正的應用，LK309阻擋層研磨液則專門用於清除四乙基原矽酸鹽（TEOS）或第一石墨化階段（FSG）的封頂層，並可在阻止CDO薄層的同時維持進入金屬的厚度。

羅門哈斯電子材料CMP技術事業部研磨液技術副總裁 Rich Baker表示，LK系列可為製造商提供處理多重薄膜層堆的彈性，以便容納低介電介質，並向後支援整合至TEOS及FSG整合規劃。

此外該系列研磨液可提供在2psi（每平方英呎2磅）下每分鐘大於700埃的氮化鉭（TaN）移除率，並與羅門哈斯的IC1000及Politex研磨墊平台均相容。目前該系列產品在羅門哈斯位於美國的製造廠生產，該廠目前每年可供應300萬加崙的研磨液。