英飛凌科技以TwinFlash技術為基礎，7日推出一款與NAND相容的晶片。這種512Mbit快閃記憶體晶片已經由英飛凌科技快閃記憶體公司〈Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG〉開發出來；該公司是英飛凌科技與半導體業者Saifun Semicondutors的合資企業。初期的生產已經在英飛凌的德勒斯登200mm DRAM廠展開。

英飛凌記憶產品事業集團的執行長Dr. Harald Eggers博士解釋說：「英飛凌納入了快閃記憶體，更加大為擴充了記憶體產品系列，因此現在能夠在DRAM 與快閃記憶體之間有彈性的分配記憶體產品的產能。這種TwinFlash技術使我們能夠用製造DRAM的現成設備來生產快閃記憶體晶片，所以基本上無須另行投資製造設備就能進入一個新市場。」

TwinFlash是Saifun Semiconductors所開發的一種非揮發性記憶體技術，而且其功效過去在做為NOR快閃記憶體與電子式可抹除唯讀記憶的基礎上已經獲得證實。TwinFlash在單一電晶體器件中儲存兩個〈一對〉在該處分散的位元。TwinFlashTM的競爭對手是每一電晶體器件單一位元的浮置閘極技術，其處理結構相當於TwinFlash，但是TwinFlash所提供的核心尺寸小了40%，這是由於每一元件雙位元的設計與生產成本競爭力所導致的較少光罩層所致。到2004年年底，每個月以170nm技術生產逾10,000個晶圓已經在計畫之中。