國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日宣布，擴展其封裝系列，推出新款的PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25V和30V，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要4mm2的占位空間，並採用IR最新的低電壓N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻（RDS(on)），以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令（RoHS）。