英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本。

英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，整合快速二極體，滿足大功率照明和工業SMPS應用的需求

新產品專為超高功率密度和超高效率的產品設計量身打造，主要適用於照明系統以及消費與工業領域的SMPS應用。

產品適用於返馳式、PFC以及LLC/LCC設計，包括半橋式或全橋式組態。由於整合了快速二極體和超低逆復原電荷（Qrr），因此可提供耐用又可靠的快速二極體硬切換，並成為此電壓等級中最耐用的SJ MOSFET，能適用於目標應用中的所有拓撲。

此外，大幅降低切換損耗（EOSS、QOSS及Qg）可提升硬切換和軟切換應用的效率，且與900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比，MOSFET溫度最多可降低4°K。新產品將輕負載和全負載的PFC效率提高0.2%以上，同時符合LLC效率方面的效能要求，更有助於邁向更環保的世界。

新產品系列降低了各種SMD和THD封裝元件的導通電阻（RDS（on））值，最高可降低55%，例如DPAK封裝元件的導通電阻值為450 m?或TO247封裝元件的導通電阻值為60 m?。

設計人員可透過更小的封裝尺寸、大幅提高功率密度並節省電路板空間，降低BOM與生產成本。閘極源極閾值電壓（V（GS）,th）為3 V，而最小的V（GS）,th變化為±0.5 V，可方便新元件的設計導入和驅動，提高了設計自由度。

利用低閾值電壓和容許值的緣故，可避免使用MOSFET線性模式運作，降低了驅動電壓和閒置損耗。此外，與CoolMOS C3相比，新產品的閘極電荷提升了60% ，大幅降低驅動損耗。而且能夠達到人體放電模型（HBM）2級靜電放電敏感度標準，確保ESD的穩健性，進而減少與ESD有關的設備故障，提高了產量。

全新950 V CoolMOS PFD7系列具備高度精細化的產品組合並採用SMD和THD封裝，外型尺寸更小，同時提高功率密度和節省BOM成本。