功率半導體暨碳化矽（SiC）蕭特基二極體供應商英飛凌科技在美國華盛頓特區舉辦之應用電力電子研討會暨展覽會（APEC）上宣佈推出第三代thinQ! SiC蕭特基二極體。全新thinQ!二極體擁有低裝置電容，適用於所有電流額定值，在更高的切換頻率以及輕負載的情況下，更能提升整體系統效率，有助於降低整體電源轉換的系統成本。此外，英飛淩第三代產品提供業界最豐富的SiC蕭特基二極體產品組合，不但有包含TO-220封裝（2-pin版本），亦有適用於高功率密度表面黏著設計的DPAK封裝。

英飛淩第三代thinQ! SiC蕭特基二極體

SiC蕭特基二極體的主要應用層面是切換式電源供應器的主動功率因素控制及其他AC/DC和DC/DC電源轉換應用，例如太陽能逆變器和馬達驅動。

英飛淩全新的SiC蕭基二極體裝置電容降低了40%，減少切換損失，例如在250kHz之下操作的1 kW PFC階段，於20%的負載情況下，整體效率將提升0.4%。更高的切換頻率代表可以使用更小、成本更低的被動元件，例如誘導器和電容器，促成功率密度更高的設計。 電源損失減少，同時也降低了散熱需求，所需的散熱器和風扇體積、數量均相應減少，讓系統成本更低，穩定性更高。 英飛淩預計在某些SMPS應用中，系統成本可減少高達20%。