諾發系統近日宣佈，已經開發conformal film deposition（CFD）技術，可在高寬比4:1的結構上有100%的階梯覆蓋能力。這項創新的CFD技術可以提供32奈米以下在前段製程的需求，例如gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極（HKMG）liners和用在雙曝光技術的spacers。諾發的CFD氧化物薄膜擁有和爐管熱反應的氧化薄膜相同的品質和成分，包含低漏電、高崩潰電壓和很低的濕蝕刻率。

諾發系統宣布開發conformal film deposition技術

32奈米製程以下的電晶體尺寸變異量極為重要，並且會影響元件表現，新的高conformal spacer薄膜已經被開發出來可以控制這些晶片上的critical dimensions。當整合方法和先進製程控制技術可以將晶片之間、批貨之間的變異量降到最小，在晶片上的變異量就可以用spacer薄膜控制。然後更進一步，這些用在spacer薄膜的介電層必須在夠低的溫度下沉積，以降低雜質擴散。

CFD技術可沉積高品質的conformal 薄膜，可應用在前段製程並且符合32奈米以下品質以及低溫的需求。圖1A顯示出百分之百conformality的CFD二氧化矽薄膜沉積在增加高寬比的前段結構。圖1B的FTIR 光譜顯示出在400C沉積的CFD氧化薄膜和爐管熱製程的氧化層十分相似。電流-電壓圖顯示出CFD薄膜具有很高的崩潰電壓特性。更進一步的分析指出薄膜品質在側邊等同於大塊區域。和一些用原子層沉積製程的競爭者比較，結合諾發的CFD技術和VECTOR多平台順序沉積方式（MSSD）可以提供優異的晶片上和晶片之間的一致性，並且擁有顯著的高產率和很低的化學品用量。