國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高效能運算及通訊等應用推出20到30V的元件。其中的IRL6283M 20V DirectFET為該系列的重點元件，備有極低的導通電阻 (RDS(_on))。

IRL6283M在超薄的30 mm² DirectFET中型罐封裝內配備低至500 μΩ (典型值) 的導通電阻，以大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌操作，而且當電流達到20A時，更比尺寸同為30 mm²的同類型最理想PQFN元件降低15%的損耗，使設計師能夠在高電流應用內減少元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「StrongIRFET系列經過擴充後，能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲高效率開關的需求。全新IRL6283M在高效能封裝內配備了行業領先的導通電阻，實現無可比擬的功率密度。」

與DirectFET系列的其他元件一樣，IRL6283M提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能，以及旨在改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了高鉛裸片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

IR的StrongIRFET系列同時提供採用了行業標準佔位面積的PQFN封裝元件，並備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令的環保物料清單。