高压 IGBT 的性能已得到极大改进。当今最流行的 IGBT 技术为场截止 IGBT（Field Stop IGBT），该技术结合贯穿型（PT）及非贯穿型（NPT）IGBT 结构的优点，同时克服每种结构的缺点。 FS IGBT 在导通期间具有更低的饱和电压降 VCE(sat)，且在关断瞬间具有更低的开关损失。然而，与所有其它类型的 IGBT 一样，由于没有内嵌体二极体，它在大多数开关应用中通常与额外的快速恢复二极体 (FRD) 一起封装。

本文将介绍快捷半导体之第二代1400V 场截止阳极短路沟槽式（Field Stop-Shorted Anode Trench）IGBT ，与一般IGBT 不同，它具有内嵌体二极体，且其在单端（Single Ended）谐振逆变器中的有效性适用于感应加热（Induction Heating） 应用。

场截止阳极短路沟槽式 IGBT
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