恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组

降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化??可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8%。恩智浦半导体（NXP Semiconductors）将整合氮化??（GaN）技术至恩智浦多晶片模组平台，此为5G效能领域的重要产业里程碑。恩智浦位於美国亚利桑那州的氮化??晶圆厂为美国专门制造射频功率放大器最先进的晶圆厂，基於对该晶圆厂的投资，恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案，该解决方案结合了氮化??的高效率与多晶片模组的紧凑性。

图一 : 恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组，实现高效能行动网路。

恩智浦透过在单个装置中采用专利组合LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化??技术，进而提高效能，可提供400 MHz的瞬时频宽，仅用一个功率放大器即可完成宽频射频设计。

恩智浦小尺寸5G多晶片模组现在可实现上述能源效率和宽频效能。全新产品组合将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量，帮助行动网路营运商降低在蜂窝式基地台和屋顶部署5G的成本。在单个封装中，模组整合了多级（multi-stage）传输链（transmit chain）、50欧姆（ohm）输入／输出匹配网路和Doherty设计。恩智浦现在使用其最新SiGe技术添加偏压控制，该全新整合步骤实现无需再使用单独的模拟控制IC，即可对功率放大器效能提供更严密的监控和最隹化。
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