ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。

ROHM在開發第5世代SiC MOSFET的過程中，透過改進元件結構並優化製程，與之前的第4世代產品相比，成功將功率電子電路實際使用環境中備受重視的高溫工作時（Tj=175℃）導通電阻降低約30%（相同耐壓、相同晶片尺寸條件下比較）。在xEV牽引逆變器等需要在高溫環境下使用的應用中，該產品有助縮小單元體積，提高輸出功率。

圖1

第5代SiC MOSFET已於2025年起提供裸晶片樣品，並於2026年3月完成開發。
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