High-NA EUV量產倒數 先進製程供應鏈全面重整

AI晶片推升先進製程需求，半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元，約為現行EUV兩倍，然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入，High-NA已逐步由研發工具走向下一世代量產基礎設施。ASML現有EUV設備訂單接近排滿至2027年，並且評估2028年將EUV年產能提高至110台以上，反映AI與先進製程擴產需求仍強。

High-NA的核心是將數值孔徑由現行0.33提高至0.55，可進一步縮小曝光特徵尺寸、降低部分先進製程多重曝光需求。不過設備升級並非單純更換曝光機，而是會牽動光罩、光阻、Pellicle、量測及缺陷檢測等整套微影生態系。

其中光罩已率先出現架構的變化。台積電與ASML日前宣布推動12吋大尺寸光罩平台，目標2031年建立Pilot Line、2033年支援先進節點完整微影系統。三星也加入相關倡議，並規劃未來DRAM導入High-NA EUV。大尺寸光罩的重要性，在於改善High-NA縮小曝光視野造成大型晶片必須Stitching的限制，提高大型AI晶片曝光效率。

圖一 : 先進製程進入下一輪設備與材料重整，High-NA帶動光罩材料新商機。

這意味下一輪先進製程競爭不只是ASML設備戰，而是整條材料與檢測鏈重新洗牌。High-NA需要更高解析度光阻、更低缺陷光罩與Pellicle，以及更精密的Overlay、CD量測與缺陷檢查；日前日本業者布局PFAS-free生質EUV光阻，也顯示材料商已開始卡位下一世代微影。

由於High-NA商機將由晶圓廠向設備零組件、真空系統、光罩、化學材料及量測檢測擴散。當2奈米以下製程進一步微縮，台灣的供應鏈真正競爭的將不只是「誰先買到High-NA」，而是誰能率先建立具備良率與量產效率的完整微影生態系。