ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm²/Vs，而矽的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm²/Vs。因此，GaN的固有特性，讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較於同尺寸的矽基元件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。

在過去的十多年裡，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關元件的黃金時期即將到來。相較於應用廣泛的MOSFET矽功率元件，GaN功率元件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這些優勢正是當下高功耗、高密度系統、巨量資料伺服器和電腦所需要的。

選用困境
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