隨著電子產品特性的轉變，半導體封裝技術也需順應潮流以提昇性能表現，特別是在電性、封裝尺寸、成本、可靠度部份。以高階處理器為例，其邏輯元件就須具備性能穩定及無輸出雜訊之特性。而受到封裝體寄生參數效應的關係，高時脈訊號會因而產生雜訊，所以須藉由改良封裝體結構以滿足此類產品需求。

覆晶是目前高階產品所選擇的其中一種封裝體。它最主要的優點在於提供晶片至外部線路最短的路徑，因此，覆晶封裝通常能達到良好電性表現。此外，覆晶所需的接合面積小，封後外觀體積也較輕巧。

不過，覆晶在成本及技術上也面臨諸多限制；舉例而言，在晶片製造步驟部分就多出一項於晶片長凸塊的費用。另外，為了減輕凸塊與基板（substrate）接合時所產生的應力，在晶片及基板間通常也必須因灌入底部填膠（underfill）而增加黏著材料的使用。再者，凸塊材料本身含有錫鉛合金，也不符合目前環保趨勢對無鉛化產品的要求。
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