英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在8 寸碳化矽(SiC) 产品路线图上取得重大进展。公司将於2025年第一季度向客户供货首批采用先进8 寸 SiC晶圆制程的产品。这些产品在位於奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域，包括再生能源系统、轨道运输和电动车等，提供业界领先的SiC电源技术。此外，英飞凌位於马来西亚居林的生产基地正在从6寸晶圆向更大、更高效的8 寸晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。

8 寸 SiC晶圆的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势

SiC半导体为大功率应用带来了变革，它进一步提高了电源开关的效率、在极端条件下具有高度的可靠性和稳健性，并且能够实现尺寸更小的设计。借助英飞凌的SiC产品，客户能够为电动车、快速充电站和轨道运输，以及再生能源系统和AI资料中心开发节能解决方案。向客户提供首批采用8 寸晶圆技术的SiC产品标志着英飞凌在SiC产品路线图上迈出了实质性的一步，该路线图的重点是为客户提供全面的高性能功率半导体产品组合，推动绿色能源的发展，并对二氧化碳的减排做出贡献。