力晶半导体表示，已与日本三菱电机签订0.15与0.13微米制程技术，并将由三菱导入移动电话用低功率SRAM及Data Flash产品，藉以降低DRAM景气波动对营运所带来的冲击。

力晶半导体总经理蔡国智表示，原本力晶就与三菱在0.18微米制程等方面合作，本次所签订的备忘录确立2家公司的合作，将延续到未来5年内包括0.15与0.13微米等先进制程，预计明年第4季0.15五制程便可量产。也因此蔡国智表示，三菱与力晶将合力兴建12吋晶圆厂，设备由力晶出资，三菱转移技术，并享有部分产能使用权。蔡国智以「精神上持股各半」来形容合作关系。力晶预估二厂明年下半年或后年量产，持续生产DRAM等主力产品。