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国内各DRAM厂制程竞赛加温
明年将导入0.14微米制程 生产256MB产品

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年09月05日 星期二

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茂德、华邦、力晶及南亚科技「制程竞争」愈演愈炽,4家厂商不约而同明年将主流制程由0.175微米导入0.14微米制程,生产256MB DRAM(动态随机存取内存)以上高阶产品,预计产能增加6成左右,芯片产出成本大幅降低。

国内4大DRAM厂今年纷纷引进0.175微米世代制程,产能明显增加,下半年营收不断提升,为维持竞争优势,茂德率先于今年7月开始转换0.175微米世代制程至0.14微米,试产128Mb及256Mb DRAM。

關鍵字: DRAM  茂德  华邦  力晶  南亚科技  动态随机存取内存 
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