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日本半导体技术获重大进展
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年07月04日 星期三

浏览人次:【1438】

据了解,日本科学家研究出一种把半导体硅元素与化合物半导体磷化镓融合在一起的技术,为制造可在一块芯片上处理电子、光和微波的光电子融合组件开辟了道路。

这一技术是由日本丰桥科技大学教授米津宏雄领导的科研小组研究成功的,为使这两种不同的半导体实现晶体融合,他们采取了下列方法:一、在磷化镓里添加氮,以调整它的原子排列;二、在硅基板上构筑由失真量子阱、导波层和金属包层构成的量子阱结构;三、用硅层夹住磷化镓层。

半导体组件大致分为使用硅晶体的电子组件、使用化合物半导体的光组件和微波组件三种。米津教授研究成功的这种新的半导体材料,有可能把上述三种半导体组件制作在一块芯片上,使之能发挥出三种组件的功能。此外,它还能减少制造化合物半导体所不可缺少的砷、磷等有毒物质的使用量,有益于减少环境负荷。

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