快闪记忆体控制晶片及储存解决方案整合服务商群联电子今(9)日发布全新一代旗舰PCIe Gen4x4 SSD控制晶片PS5018-E18。该晶片不仅延续首款PCIe Gen4x4 SSD控制晶片PS5016-E16的先进科技，更将读取速度与写入速度分别推升至7.4GB/s与7.0GB/s，再推效能极限。

群联电子\全新一代旗舰PCIe Gen4x4 SSD控制晶片PS5018-E18。将读取速度与写入速度分别推升至7.4GB/s与7.0GB/s，再推效能极限。

群联电子指出，PS5018-E18成为目前市场上最快且唯一读写速度均达到7.0GB/s以上的旗舰PCIe Gen4 SSD控制晶片，再次展现群联在超高速储存方案的技术实力。

群联最新的旗舰PCIe Gen4 SSD控制晶片PS5018-E18搭载12nm制程与其独家的CoXProcessor 2.0技术，将为群联的夥伴及客户提供顶尖效能与杰出的电源功耗效率。

此外，E18控制晶片采用群联自主研发的多核心架构，不仅适合人工智慧(AI)之多工运算(Multi-Tasking)，更可满足游戏玩家、内容创作者(Content Creators)及效能狂热者对最隹PCIe Gen4 NVMe SSD储存方案的效能需求。

群联电子强调，采用八通道(8-Channels)的PS5018-E18Gen4SSD控制晶片，将提供使用者高达1百万的随机读取速度(IOPS)以及最高8TB的使用容量，预计将成为高速储存市场中最耀眼的亮点。

群联董事长潘健成表示，当市场同业刚要发布他们的首款PCIe Gen4 SSD产品时，群联已经与合作夥伴AMD共同发布PCIe Gen4生态圈，且领先量产超过1年半了。群联新一代的旗舰PCIe Gen4 SSD控制晶片PS5018-E18能充分发挥PCIe Gen4的超高频宽，还提供超过7.4GB/s的极速效能给终端客户，这不仅仅是群联累积20年的技术能力展现，更代表着群联也将引领未来NAND控制晶片的技术与发展方向。