为配合产业界对于专利权的需求，工研院系统芯片技术发展中心（STC）结合交大推出静电放电防护（ESD protection）技术相关专利计一百一十件，于七月二十一日上午九点三十分在工研院举行说明会，包括台积电、联电、联发科、凌阳、华邦、旺宏、联咏、智原、威盛、友达、茂德、力晶等近三十家厂商、八十多位业界人士，纷纷出席说明会聆听竞标方式与授权内容，并有多家大厂对数项专利组合表现浓厚兴趣。

交大 柯明道教授

工研院继日前OLED（有机电激发光显示器）专利专属授权之后，近日也把多年来在静电放电防护技术研发累积的成果，结合交大的产出专利，以专利组合方式进行独家专属授权，开放相关厂商竞标。此次的ESD专利组合标售，主要来自系统芯片技术发展中心的研发成果，把IC半导体产业中极重要的静电放电防护与输出入单元电路设计（I/O Circuit Design）相关专利，搭配交通大学电子工程系柯明道教授之静电放电防护专利，以六项组合，共计一百一十件优质专利，公开征求专属授权厂商。组合内容包含「输出入接口电路之静电放电防护」、「高速／射频／混压输入输出IC之静电放电与电性栓锁防护」、「输出入单元电路设计」等专利，一并进行专属授权。

专利中的全芯片静电放电防护技术，具备高效能静电放电防护电路，当IC产品发生静电放电时，可有效防止内部电路受到伤害，对于晶圆代工厂、整合组件制造厂（IDM）与IC设计公司而言，是不可或缺的关键技术。而就产品面来看，举凡功能日新月异的手持式消费性电子产品、通讯产品、具平面显示器之电子产品、车用电子等对可靠度要求高的产品等，一些需要面积小、成本低之系统芯片、或需要静电放电耐压度高之IC产品，皆适用此静电放电防护技术。此技术不但可应用于未来发展之系统单芯片产品，同时也兼容于目前市场上较高阶或消费性的IC产品，具有极高之市场价值。

对半导体业者而言，针对其产品部署完善的静电放电防护设计专利网极其必要。国外TI、IBM、Intel等大厂，早在二十余年前即投入静电放电防护设计技术的研发，原市面上实用的静电放电防护设计技术中超过百分之九十五 受此等大厂专利保护，让国内厂商在相关产品的研发上屡遇瓶颈。工研院芯片中心ESD研发团队结合交大技术经验，突破国际大厂专利防护网，在已申请的专利中找寻静电放电防护设计的研发利基，建立了完整的专利部署，从专利引证分析及组合研究得知，此专利质量极具市场竞争性，可充分协助IC厂商节省大量成本，耐受更高的静电水平。

本次公开专属授权将于94年9月23日结标，开标时间订于94年9月27日，有意者可于网站http://www.stc.itri.org.tw/esd获得相关竞标方式与专利组合内容。