碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间。

导通电阻（RDS on）是什么意思，就是元件启动时，汲极和源极间的阻值。数值越小，工作时的功率损耗越小，对于电源效率的提升也越有帮助。尤其是高耗电的应用场域，像是电动车和资料中心等，只要1%的改善，就会产生巨大的成本差异。

UnitedSiC今日所发布的产品，是其第四代的产品，包括750V SiC FET系列中的9种新元件，额定值包含6、9、11、23、33和44mΩ。而所有元件均有采用TO-247-4L封装的方案，同时18、23、33、44和60mΩ元件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。

UnitedSiC资深产品经理Richard Chen表示，新的产品采用一种新的FoM效率指数（Figures of Merit），来彰显新产品在功率设计上性能。此外，与其他碳化矽产品不同之处，在于UnitedSiC能以传统矽的Super Junction架构的驱动电压（0～12 V）来进行，因此可以兼容 SiC MOSFET，或者Si IBGT和Super Junction的设计。

在性能指数方面，如RDS(on)×A（晶片面积的传导损耗），第4代SiC FET在高低裸晶温度下，均可达到市场最低值。

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了「共源共闸」拓扑结构，其内部整合了一个SiC JFET并将之与一个矽MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作，同时还可保持简单、稳定和稳健的闸极驱动，并具有内建的ESD保护。

这些优势可透过品质因数(FoM)进行量化，例如RDS(on)×A，这个指标衡量了每单位晶片面积的传导损耗。在这个指标上，第4代SiC FET在高低裸晶温度下均可达到市场最低值；在硬切换应用（RDS(on)×EOSS/QOSS）中，也接近竞争对手值的一半；在软切换应用（RDS(on)×COSS(tr)）项目，UnitedSiC的750V元件与竞争对手650V元件相比，低约30%。

对于何以能达成如此优异的成果，Richard Chen表示，UnitedSiC长期以来专注于碳化矽元件技术的研发，透过专利的制程技术来达成此一性能。主要是采用先进的晶圆减薄技术，以及银烧结贴片制程，降低了从裸晶到外壳的热阻，借此实现最大功率输出，同时实现低裸晶温升。

新款750V第4代SiC FET的定价（1000片起，美国离岸价）从UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。所有元件均可从授权经销商处购买。

UnitedSiC创立于1999年，由美国罗格斯大学的一个小型研究团队所成立，成立之初就专注于碳化矽（Silicon Carbide）技术的研，而当时碳化矽元件市场几乎还是一片沙漠。