晶圆表面处理技术供货商FSI International 宣布，该公司的最新high-k薄膜蚀刻技术获得美国专利商标局核发专利权。此一用在45奈米以下高阶半导体制程的最新技术，强化了传统介电质湿式蚀刻技术无法达到的high-k薄膜湿式蚀刻能力。

FSI表示，随着IC业者持续开发45奈米技术节点晶体管，硅酸铪（hafnium silicates）这类的high-k材料将会取代二氧化硅（SiO2）成为闸极介电质；在闸极结构形成后，从接触区移除闸极介电质是产生晶体管一个重要的步骤，但是使用传统用于SiO2的技术移除high-k薄膜既困难且没效率；FSI研发的专利技术可让IC制造厂商透过现有的FSI平台具备快速且高选择性移除high-k材料薄膜的能力。

此一创新的蚀刻技术以稀释氟成分解决方案处理接触面的high-k薄膜，以达到默认的high-k薄膜蚀刻范围﹔FSI并已经在总部的研发实验室中，成功展示了此一高选择性移除硅酸铪的制程。该专利权让FSI目前所拥有的美国IC表面处理IP有效专利权超过90个，而正在申请中的则有28个。

此一制程可建置在FSI的MAGELLAN Immersion Clean System 与 ZETA Spray Processing System表面处理系统上，这项技术的化学配方提供的硅酸铪移除率最高每分钟达80埃，而沈积二氧化四乙基正硅酸盐（tetraethyl orthosilicate；TEOS）对硅酸铪的蚀刻选择性高达16:1。