半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM）。第三代產品平台建構於Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 （Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM） 技術及聯電的 22 奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。

Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理Danny Sabour 表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼 （Error-Correcting Code；ECC） 或耗損平均技術。Avalanche將很快啟動進一步提高 16Gb 單晶片解決方案的開發工作。

聯華電子前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，我們很高興與 Avalanche Technology 這樣的技術領導廠商合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的 MRAM 解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與 Avalanche Technology 的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。

Avalanche Technology 首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自 2006 年起，Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction；pMTJ） 結構的 STT-MRAM 技術。以pMTJ 和 CMOS 設計為基礎，透過合作夥伴聯華電子讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。

Avalanche第三代P-SRAM的Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項，並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的，並具備>10¹⁴ 次寫入周期耐久性和1,000年保存期（在 85°C以下）。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball FBGA（15mm x 17mm）封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的（-40°C 至125°C）工作溫度範圍，每項裝置在交付給客戶前，並都經過 48小時的老化測試。其他額外認證選項亦提供給合作夥伴選擇。