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東芝、SanDisk合作研發90奈米 快閃記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 鄭妤君 報導】   2002年10月14日 星期一

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據日本工業新聞報導,東芝、SanDisk將共同研發90奈米製程的NAND型快閃記憶體(Flash),企圖藉由先進製程擴增快閃記憶體的產量,以提升競爭能力。

東芝及SanDisk是自1999年開始合作研發新製程技術,至今已共同開發出0.21、0.16、0.13微米製程技術;而近期之內東芝也將以雙方共同研發的90奈米製程技術,導入該公司的NAND型快閃記憶體生產線,以提高產量、提升競爭力。

目前東芝生產的NAND型快閃記憶體最大容量為1G,該公司預定在2003年後半開發出容量2G的新產品,並計劃於2004年第一季(1~3月)推出上市。

NAND型快閃記憶體的應用產品,大半為數位相機用的記憶卡,隨著可照相手機等電子產品在市場上熱賣,對擴增記憶體容量的需求越來越多,該產品的後勢可期。

關鍵字: 東芝(ToshibaSanDisk  多次燒錄唯讀記憶體 
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