无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK）。 CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流马达（BLDC）和永磁同步马达（PMSM）应用，提供易用性和可靠性，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo 在为其 PAC5556A 高性能 BLDC/PMSM 马达控制器和驱动器设计的 EVK 中采用 CGD 的 ICeGaN（IC 增?型 GaN）科技。

在评估套件结合Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步马达控制器/驱动器，以及 CGD 易於使用的 ICeGaN GaN功率IC的效能。

GaN 带来损耗更低，带来更高效率，进而新增功率可用性和产生更少的热量等益处。 这减少了对复杂、庞大和昂贵的热管理解决方案的需求，从而产生更小、更?大、寿命更长的系统。 GaN 还可以在低速时提供更高的扭矩，因此可以实现更精确的控制。 此外，GaN可实现高速开关，这可以减少可听杂讯，这对於吊扇、热泵和冰柜等家电尤其重要。

此外，ICeGaN提供几个显着的优点 ICeGaN 的闸极驱动电压与 IGBT 相容。 由於 ICeGaN 在 GaN IC 内整合米勒箝比特，所以不需要负关断电压，并且可以使用低成本的电流驱动器。而ICeGaN 内嵌电流感测功能简化电路设计，并?少了物料清单（BOM）。叁考设计现已上市，EVK RD5556GaN 将在今年第3季上市。