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IBM授权Mosis之0.13/0.18 CMOS技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年10月03日 星期四

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根据外电消息,IBM昨日对外宣布,将授予芯片供货商Mosis公司0.13~0.18微米CMOS制程技术,包括铜导线制程量产技术。成立于1981年的Mosis,原为美国政府美国国防部高等研究计划局(DARPA)之基金机构,进入商业化、研发及消费性市场后,该公司专为新兴企业及大学建立MPW(多重计划芯片;Multi-project wafer)制程。MPW是在单晶圆上进行多样设计,使设计团队能有效减少成本。

另外,IBM计划提供Mosis进入0.25微米CMOS制程,以扩展RF方面应用;低量生产也可透过MPW获得服务。IBM表示,IBM的硅锗(SiGe)技术已从Mosis使用一部分的MPW。

MPW是将不同客户的新产品设计,整合放在同一组光罩上进行制造,客户们能够共同分摊先进制程的昂贵成本,并且可获取各自所需的少量产品。使用MPW的厂商,只需付出原本单独试制成本的十分之一或更低的价格,就能完成新产品验证。

關鍵字: 0.13微米  0.18微米  MPW  SiGe  IBM  Mosis  DARPA 
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