基於2025年下半年开始，ASIC和AI推论应用发展，分别带动HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（动态随机存取记忆体）供需缺囗持续扩大，并推升整体DRAM利润率。除了大厂积极扩充产能，期待能在2027年上修供给量外，也不忘持续开发新品。

记忆体大厂并购扩产补缺囗，估2027年供给量可??上修。

自2024年起AI带动HBM、DDR5、LPDDR5X等先进制程DRAM产品需求以来，Micron（美光公司）便持续执行美国ID1、新加坡HBM後段产能建设，并积极向外收购厂房，以缩短产能建置时程。

包含在台湾收购AUO台南厂2座、AUO Crystal台中厂，以及Glorytek台中厂，作为wafer probe（晶圆测试）、metallization（金属化）、HBM TSV等各项用途；亦规划将部分新加坡NAND Flash无尘室，改用於DRAM metallization。据统计至2025年Q3，Micron在全球DRAM产业的营收市占率达到25.7%，排名第三。

根据DRAM产业最新调查，随着Micron计画以18亿美元收购PSMC（力积电）在台湾铜锣厂的土地及厂房、无尘室，但不含生产相关机器设备。未来双方将建立长期的DRAM先进封装代工关系，既有利Micron增添先进制程DRAM产能，并提升PSMC供应的成熟制程DRAM量能，主要采用25nm、38nm制程，DDR4产线将暂时止步於容量较小的产品。

直到2026~2027年分批移入既有及新订购的设备後，Micron将以DRAM先进制程的前段设备为主，并在2027年投入量产，估计铜锣一期厂房在2027年下半年可贡献的产能，将相当Micron於2026年Q4全球产能的10%以上。

预计在PSMC与Micron签署合作意向书後，未来1年内将获得Micron授权1Y nm制程，後续并有机会再取得1Z nm制程授权，可支持其提升DDR4产品容量，届时全球DRAM产业供给将有上修空间。此举将有利PSMC保持在consumer DRAM市场的制程竞争力，同时扩大位元产出，又不与Micron的先进产品线互相竞争。

有趣的是，尽管美国商务部长卢特尼克近日在出席Micron纽约州新厂动土典礼时首次宣布，将针对非美国生产的DRAM制造商课徵100%关税。媒体一度认为，台湾的南亚科和华邦电将首当其冲。

但今日举行董事会的南亚科总经理李培瑛仍老神在在，强调目前该公司并没有在美国设厂的计画，并将重心押注在DDR4。不仅2025年Q4产品出货比重DDR5逾1%、DDR3约20%，近70%比重为DDR4及LPDDR4 DRAM；由於产能配置与需求转移，DDR4与LPDDR4目前供应同样偏紧，DDR5也将跟着涨价。

同时持续深化多元产品布局，并优化DDR4与LPDD4的供应，以满足消费市场需求。在技术与产能规划上，新厂预计於2027年初开始装机，提供具竞争力的次世代记忆体解决方案。